Ferroelektrischer RAM-Speicher (FRAM) ist dynamischem RAM-Speicher sehr ähnlich, jedoch mit einer ferroelektrischen Schicht anstelle einer dielektrischen. Das I²C-FRAM-Breakout-Board eignet sich hervorragend für Niederleistungsanwendungen oder Anwendungen mit unbeständiger Spannungsversorgung zum Datenloggen oder Datenpuffern. Dieser FRAM-Chip verfügt über 32 kByte Speicher und I²C-Schnittstellen mit einer Taktfrequenz von bis zu 1 MHz. Wie beim SRAM kann jedes Byte unmittelbar 10 Billionen Mal gelesen und geschrieben werden und hält den Speicher 95 Jahre bei Zimmertemperatur. Dieser Chip kann mit 3 V oder 5 V Versorgungsspannung und Logikspannung betrieben werden. Der Speicher ist steckbrettfreundlich ausgeführt mit einem 2,54 mm Raster zum Anlöten einer Stiftleiste.