PHS-memory 2GB RAM Speicher für Samsung NP-R510-FS0N DDR2 SO DIMM 800MHz PC2-6400S
Samsung NP-R510-FS0N, 1 x 2GB5 Stück an Lager beim Lieferanten
Produktinformationen
Der 2GB RAM Speicher von PHS-memory ist speziell für das Modell Samsung NP-R510-FS0N konzipiert und bietet eine zuverlässige und leistungsstarke Erweiterung des Arbeitsspeichers. Mit einer Speicherkapazität von 2 Gigabyte und einer Taktfrequenz von 800 MHz (PC2-6400S) ist dieser DDR2 SO-DIMM-RAM eine ideale Lösung für Nutzer, die die Leistung ihres Laptops steigern möchten. Die Kompatibilität mit dem Samsung NP-R510-FS0N gewährleistet eine einfache Installation und einen reibungslosen Betrieb. Der RAM arbeitet mit einer Spannung von 1,8 Volt und ist mit 200 Pins ausgestattet, was ihn zu einer effizienten Wahl für verschiedene Anwendungen macht. Dieser Arbeitsspeicher ist eine kosteneffektive Möglichkeit, die Multitasking-Fähigkeiten und die allgemeine Systemleistung zu verbessern.
- 100% kompatibel mit Samsung NP-R510-FS0N
- Speicherkapazität von 2GB für verbesserte Leistung
- Taktfrequenz von 800 MHz für schnelle Datenverarbeitung
- Einfache Installation dank SO-DIMM Formfaktor.
Passende Marke | Samsung |
Passendes Modell | Samsung NP-R510-FS0N |
Speicherkonfiguration | 1 x 2GB |
Arbeitsspeichertyp | DDR2-RAM |
Speichertaktfrequenz | 800 MHz |
Artikelnummer | 14218509 |
Hersteller | PHS-memory |
Kategorie | RAM Modellspezifisch |
Herstellernr. | SP181156 |
Release-Datum | 13.11.2020 |
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Passende Marke | Samsung |
Passendes Modell | Samsung NP-R510-FS0N |
Speicherkonfiguration | 1 x 2GB |
Arbeitsspeichertyp | DDR2-RAM |
Speichertaktfrequenz | 800 MHz |
Speicherkapazität (RAM) pro Modul | 2 GB |
Arbeitsspeicher Chip | DDR2-800 |
Arbeitsspeicher Formfaktor | SO-DIMM |
Anzahl Pins | 200 x |
Spannung | 1.80 V |
CO₂-Emission | |
Klimabeitrag |
Produktsicherheit |
30 Tage Rückgaberecht