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PHS-memory 2GB RAM Speicher für Samsung NP-R510-FS0N DDR2 SO DIMM 800MHz PC2-6400S

Samsung NP-R510-FS0N, 1 x 2GB
Preis in EUR inkl. MwSt.
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Produktinformationen

Der 2GB RAM Speicher von PHS-memory ist speziell für das Modell Samsung NP-R510-FS0N konzipiert und bietet eine zuverlässige und leistungsstarke Erweiterung des Arbeitsspeichers. Mit einer Speicherkapazität von 2 Gigabyte und einer Taktfrequenz von 800 MHz (PC2-6400S) ist dieser DDR2 SO-DIMM-RAM eine ideale Lösung für Nutzer, die die Leistung ihres Laptops steigern möchten. Die Kompatibilität mit dem Samsung NP-R510-FS0N gewährleistet eine einfache Installation und einen reibungslosen Betrieb. Der RAM arbeitet mit einer Spannung von 1,8 Volt und ist mit 200 Pins ausgestattet, was ihn zu einer effizienten Wahl für verschiedene Anwendungen macht. Dieser Arbeitsspeicher ist eine kosteneffektive Möglichkeit, die Multitasking-Fähigkeiten und die allgemeine Systemleistung zu verbessern.

  • 100% kompatibel mit Samsung NP-R510-FS0N
  • Speicherkapazität von 2GB für verbesserte Leistung
  • Taktfrequenz von 800 MHz für schnelle Datenverarbeitung
  • Einfache Installation dank SO-DIMM Formfaktor.

Das Wichtigste auf einen Blick

Passende Marke
Samsung
Passendes Modell
Samsung NP-R510-FS0N
Speicherkonfiguration
1 x 2GB
Arbeitsspeichertyp
DDR2-RAM
Speichertaktfrequenz
800 MHz
Artikelnummer
14218509

Allgemeine Informationen

Hersteller
PHS-memory
Kategorie
RAM Modellspezifisch
Herstellernr.
SP181156
Release-Datum
13.11.2020
Externe Links

Arbeitsspeicher

Passende Marke
Samsung
Passendes Modell
Samsung NP-R510-FS0N
Speicherkonfiguration
1 x 2GB
Arbeitsspeichertyp
DDR2-RAM
Speichertaktfrequenz
800 MHz
Speicherkapazität (RAM) pro Modul
2 GB
Arbeitsspeicher Chip
DDR2-800
Arbeitsspeicher Formfaktor
SO-DIMM
Anzahl Pins
200 x

Energieversorgung

Spannung
1.80 V

Freiwilliger Klimabeitrag

CO₂-Emission
Klimabeitrag

Rechtlicher Hinweis

Produktsicherheit

14 Tage gesetzl. Widerruf
30 Tage Rückgaberecht
24 Monate gesetzl. Gewährleistung

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