PHS-memory 4GB RAM Speicher für Samsung NP-RF510-S05 DDR3 SO DIMM 1066MHz
Samsung NP-RF510-S05, 1 x 4GBMehr als 10 Stück an Lager beim Lieferanten
Produktinformationen
Der PHS-memory 4GB RAM Speicher ist eine leistungsstarke Erweiterung für das Samsung NP-RF510-S05. Mit einer Speicherkapazität von 4 GB und einer Taktfrequenz von 1066 MHz bietet dieser DDR3 SO-DIMM Arbeitsspeicher eine zuverlässige und effiziente Leistung. Er wurde speziell für das genannte Modell entwickelt und gewährleistet eine 100%ige Kompatibilität. Der SO-DIMM Formfaktor ermöglicht eine einfache Installation in Laptops, wodurch die Aufrüstung des Systems unkompliziert und schnell vonstattengeht. Dieser RAM-Speicher ist ideal für Nutzer, die die Leistung ihres Geräts steigern möchten, sei es für alltägliche Anwendungen oder anspruchsvollere Aufgaben. Die Verwendung von LPDDR3 Chips sorgt für eine verbesserte Energieeffizienz, was zu einer längeren Akkulaufzeit des Laptops beiträgt. Mit einer Spannung von 1,5 Volt ist dieser Arbeitsspeicher sowohl leistungsstark als auch energieeffizient.
- 100% kompatibel mit Samsung NP-RF510-S05
- Speichertaktfrequenz von 1066 MHz
- Energieeffiziente LPDDR3 Chips
- Einfache Installation im SO-DIMM Format.
Passende Marke | Samsung |
Passendes Modell | Samsung NP-RF510-S05 |
Speicherkonfiguration | 1 x 4GB |
Arbeitsspeichertyp | DDR3-RAM |
Speichertaktfrequenz | 1066 MHz |
Artikelnummer | 14322465 |
Hersteller | PHS-memory |
Kategorie | RAM Modellspezifisch |
Herstellernr. | SP123617 |
Release-Datum | 15.11.2020 |
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Passende Marke | Samsung |
Passendes Modell | Samsung NP-RF510-S05 |
Speicherkonfiguration | 1 x 4GB |
Arbeitsspeichertyp | DDR3-RAM |
Speichertaktfrequenz | 1066 MHz |
Speicherkapazität (RAM) pro Modul | 4 GB |
Arbeitsspeicher Chip | LPDDR3 |
Arbeitsspeicher Formfaktor | SO-DIMM |
Anzahl Pins | 204 x |
Spannung | 1.50 V |
CO₂-Emission | |
Klimabeitrag |
Produktsicherheit |
30 Tage Rückgaberecht