PHS-memory 8GB RAM Speicher für Gigabyte GA-H110M-S2V DDR3 (rev. 1.0) DDR3 UDIMM 1600MHz
Gigabyte GA-H110M-S2V DDR3 (rev. 1.0), 1 x 8GBMehr als 10 Stück an Lager beim Lieferanten
Produktinformationen
Der PHS-memory 8GB RAM Speicher ist speziell für das Mainboard Gigabyte GA-H110M-S2V DDR3 (rev. 1.0) konzipiert und bietet eine zuverlässige und leistungsstarke Erweiterung des Arbeitsspeichers. Mit einer Speichertaktfrequenz von 1600 MHz sorgt dieser DDR3 UDIMM-RAM für eine verbesserte Systemleistung und reibungsloses Multitasking. Die unbuffered Bauweise und die 240 Pins gewährleisten eine einfache Installation und Kompatibilität mit dem entsprechenden Mainboard. Dieser RAM ist ideal für Nutzer, die ihre Systeme aufrüsten möchten, um eine bessere Leistung bei Anwendungen und Spielen zu erzielen. Die 8 GB Speicherkapazität pro Modul ermöglicht es, auch speicherintensive Programme effizient auszuführen, was ihn zu einer ausgezeichneten Wahl für verschiedene Anwendungen macht.
- Kompatibel mit Gigabyte GA-H110M-S2V DDR3 (rev. 1.0)
- Speichertaktfrequenz von 1600 MHz für verbesserte Leistung
- Unbuffered Design für einfache Installation
- 240 Pins für optimale Kompatibilität.
Passende Marke | Gigabyte |
Passendes Modell | Gigabyte GA-H110M-S2V DDR3 (rev. 1.0) |
Speicherkonfiguration | 1 x 8GB |
Arbeitsspeichertyp | DDR3-RAM |
Speichertaktfrequenz | 1600 MHz |
RAM-Puffer | unbuffered |
Artikelnummer | 22259847 |
Hersteller | PHS-memory |
Kategorie | RAM Modellspezifisch |
Herstellernr. | SP152356 |
Release-Datum | 19.4.2021 |
Externe Links |
Passende Marke | Gigabyte |
Passendes Modell | Gigabyte GA-H110M-S2V DDR3 (rev. 1.0) |
Speicherkonfiguration | 1 x 8GB |
Arbeitsspeichertyp | DDR3-RAM |
Speichertaktfrequenz | 1600 MHz |
Speicherkapazität (RAM) pro Modul | 8 GB |
Arbeitsspeicher Chip | LPDDR3 |
Arbeitsspeicher Formfaktor | U-DIMM |
Anzahl Pins | 240 x |
RAM-Puffer | unbuffered |
Spannung | 1.35 V |
CO₂-Emission | |
Klimabeitrag |
Produktsicherheit |
30 Tage Rückgaberecht