Samsung Memory Module 8 Gb 1 X 8 Gb
1 x 8GB, 4800 MHz, DDR5-RAM, DIMMProduktinformationen
Das Samsung Memory Module mit 8 GB DDR5-RAM bietet eine leistungsstarke und effiziente Lösung für moderne Computeranwendungen. Mit einer Speichertaktfrequenz von 4800 MHz ermöglicht dieses Modul eine schnelle Datenverarbeitung und verbessert die Gesamtleistung des Systems. Es ist als DIMM mit 288 Pins konzipiert und eignet sich ideal für Standardanwendungen, die eine hohe Bandbreite und schnelle Reaktionszeiten erfordern. Das unbuffered Design sorgt für eine direkte Verbindung zwischen dem RAM und der CPU, was die Latenzzeiten minimiert und die Effizienz steigert. Dieses Modul ist eine ausgezeichnete Wahl für Benutzer, die ihre Systeme aufrüsten oder neu konfigurieren möchten, um die neuesten Technologien zu unterstützen.
- Speichertaktfrequenz von 4800 MHz für hohe Leistung
- Unbuffered Design für verbesserte Effizienz
- CAS-Latenzzeit von 40 für schnelle Reaktionszeiten
- Kompatibel mit DDR5-4800 Chips für moderne Anwendungen.
Arbeitsspeichertyp | DDR5-RAM |
Speicherkonfiguration | 1 x 8GB |
Speichertaktfrequenz | 4800 MHz |
CAS-Latenzzeit | 40 |
Spannung | 1.10 V |
Artikelnummer | 36995112 |
Hersteller | Samsung |
Kategorie | RAM |
Herstellernr. | M323R1GB4BB0-CQK |
Release-Datum | 10.7.2023 |
LED Farbe | ohne LED |
Speicherkonfiguration | 1 x 8GB |
Hardware Anwendungsbereich | Standard |
Arbeitsspeichertyp | DDR5-RAM |
Speichertaktfrequenz | 4800 MHz |
Übertragungsrate | 38400 MT/s |
Arbeitsspeicher Chip | DDR5-SDRAM |
Arbeitsspeicher Formfaktor | DIMM |
Anzahl Pins | 288 x |
RAM-Puffer | unbuffered |
CAS-Latenzzeit | 40 |
Spannung | 1.10 V |
Ursprungsland | China |
Herstellerengagement | RE100 |
Herstellerkompensation | Der Hersteller Samsung kompensiert seinen Energieverbrauch nach RE100 vollständig. Dies führt zu einer Reduktion der Emissionen bei diesem Produkt. |
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Produktsicherheit |
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