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PHS-memory RAM passend für Gigabyte H510M S2H (rev. 1.0)
Gigabyte H510M S2H (rev. 1.0), 1 x 4GBPreis in EUR inkl. MwSt.
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Speicherkonfiguration4
Produktinformationen
Der RAM von PHS-memory ist speziell für das Mainboard Gigabyte H510M S2H (rev. 1.0) konzipiert und bietet eine zuverlässige Leistung für verschiedene Anwendungen. Mit einer Speicherkapazität von 4 GB und einer Taktfrequenz von 2666 MHz ist dieser DDR4-RAM eine ausgezeichnete Wahl für Nutzer, die ihre Systeme aufrüsten oder reparieren möchten. Der unbuffered DIMM-Formfaktor sorgt für eine einfache Installation und Kompatibilität mit dem entsprechenden Mainboard. Die Spannung von 1,2 Volt gewährleistet eine effiziente Energieversorgung, während die 288 Pins eine stabile Verbindung ermöglichen. Dieser Arbeitsspeicher ist ideal für alltägliche Aufgaben sowie für anspruchsvollere Anwendungen, die eine verbesserte Reaktionsfähigkeit erfordern.
- Kompatibel mit Gigabyte H510M S2H (rev. 1.0)
- DDR4-RAM mit 2666 MHz Taktfrequenz
- Unbuffered DIMM-Formfaktor für einfache Installation
- Energieeffizient mit 1,2 Volt Spannung.
Passende Marke | Gigabyte |
Passendes Modell | Gigabyte H510M S2H (rev. 1.0) |
Speicherkonfiguration | 1 x 4GB |
Arbeitsspeichertyp | DDR4-RAM |
Speichertaktfrequenz | 2666 MHz |
RAM-Puffer | unbuffered |
Artikelnummer | 22342200 |
Hersteller | PHS-memory |
Kategorie | RAM Modellspezifisch |
Herstellernr. | SP430284 |
Release-Datum | 16.9.2022 |
Passende Marke | Gigabyte |
Passendes Modell | Gigabyte H510M S2H (rev. 1.0) |
Speicherkonfiguration | 1 x 4GB |
Arbeitsspeichertyp | DDR4-RAM |
Speichertaktfrequenz | 2666 MHz |
Speicherkapazität (RAM) pro Modul | 4 GB |
Arbeitsspeicher Chip | DDR4 |
Arbeitsspeicher Formfaktor | U-DIMM |
Anzahl Pins | 288 x |
RAM-Puffer | unbuffered |
Spannung | 1.20 V |
Ursprungsland | China |
CO₂-Emission | |
Klimabeitrag |
Produktsicherheit |
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30 Tage Rückgaberecht
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24 Monate gesetzl. Gewährleistung