PHS-memory RAM passend für Gigabyte H510M S2H (rev. 1.0)
Gigabyte H510M S2H (rev. 1.0), 1 x 8GBMehr als 10 Stück an Lager beim Lieferanten
Speicherkonfiguration4
Produktinformationen
Der PHS-memory RAM ist ein hochleistungsfähiger Arbeitsspeicher, der speziell für das Mainboard Gigabyte H510M S2H (rev. 1.0) entwickelt wurde. Mit einer Speicherkapazität von 8 GB bietet dieser DDR4-RAM eine optimale Lösung für Benutzer, die ihre Systemleistung steigern möchten. Der RAM arbeitet mit einer Taktfrequenz von 2666 MHz und ist unbuffered, was eine direkte Kommunikation mit dem Prozessor ermöglicht und die Reaktionsgeschwindigkeit des Systems verbessert. Die Verwendung von 1.2 Volt sorgt für eine energieeffiziente Leistung, während der U-DIMM Formfaktor eine einfache Installation in kompatiblen Systemen gewährleistet. Dieser RAM ist ideal für Anwendungen, die eine zuverlässige und schnelle Datenverarbeitung erfordern, und eignet sich sowohl für alltägliche Aufgaben als auch für anspruchsvollere Anwendungen.
- Speicherkapazität von 8 GB für verbesserte Systemleistung
- Taktfrequenz von 2666 MHz für schnelle Datenverarbeitung
- Unbuffered Design für direkte Kommunikation mit dem Prozessor
- Energieeffiziente 1.2 Volt Spannung.
Passende Marke | Gigabyte |
Passendes Modell | Gigabyte H510M S2H (rev. 1.0) |
Speicherkonfiguration | 1 x 8GB |
Arbeitsspeichertyp | DDR4-RAM |
Speichertaktfrequenz | 2666 MHz |
RAM-Puffer | unbuffered |
Artikelnummer | 22342201 |
Hersteller | PHS-memory |
Kategorie | RAM Modellspezifisch |
Herstellernr. | SP430285 |
Release-Datum | 16.9.2022 |
Passende Marke | Gigabyte |
Passendes Modell | Gigabyte H510M S2H (rev. 1.0) |
Speicherkonfiguration | 1 x 8GB |
Arbeitsspeichertyp | DDR4-RAM |
Speichertaktfrequenz | 2666 MHz |
Speicherkapazität (RAM) pro Modul | 8 GB |
Arbeitsspeicher Chip | DDR4 |
Arbeitsspeicher Formfaktor | U-DIMM |
Anzahl Pins | 288 x |
RAM-Puffer | unbuffered |
Spannung | 1.20 V |
CO₂-Emission | |
Klimabeitrag |
Produktsicherheit |
30 Tage Rückgaberecht